Name: RFD8P06LE
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-RFD8P06LE-ND
Price: 2.16088 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RFD8P06LE
Numer produktu DigiKey	2156-RFD8P06LE-ND
Producent	Fairchild Semiconductor
Numer produktu producenta	RFD8P06LE
Opis	P-CHANNEL POWER MOSFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 8A (Tc) 48W (Tc) Otwór przelotowy IPAK
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Fairchild Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	300mOhm przy 8A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	675 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	48W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	IPAK
Obudowa / skrzynia	TO-251-3 krótkie odpr, IPAK, TO-251AA