Name: PMCM6501VPEZ
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Price: 2.79112 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PMCM6501VPEZ
Numer produktu DigiKey	2156-PMCM6501VPEZ-NEX-ND
Producent	NXP Semiconductors
Numer produktu producenta	PMCM6501VPEZ
Opis	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 12 V 6,2A (Ta) 556mW (Ta), 12,5W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-WLCSP (1,48x0,98)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	NXP Semiconductors
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	25mOhm przy 3A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	900mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	29.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1400 pF @ 6 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	556mW (Ta), 12,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-WLCSP (1,48x0,98)
Obudowa / skrzynia	6-XFBGA, WLCSP