Name: FQD1N60CTM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FQD1N60CTM-ND
Price: 3.28631 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQD1N60CTM
Numer produktu DigiKey	2156-FQD1N60CTM-ND
Producent	Fairchild Semiconductor
Numer produktu producenta	FQD1N60CTM
Opis	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 1A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (DPak)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Fairchild Semiconductor
Seria	QFET®
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11,5Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	170 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252 (DPak)
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63