Name: TP65H035G4QS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H035G4QSTR-ND
Price: 88.4247 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TP65H035G4QS
Numer produktu DigiKey	1707-TP65H035G4QSTR-ND - Taśma i szpula (TR) 1707-TP65H035G4QSCT-ND - Taśma cięta (CT) 1707-TP65H035G4QSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	TP65H035G4QS
Opis	650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 46,5A (Tc) 156W (Tc) Montaż powierzchniowy TOLL
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 41mOhm przy 30A, 10V
Prod. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,8V przy 1mA
Seria SuperGaN®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1500 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 156W (Tc)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 46,5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TOLL
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN