Name: NP20P06YLG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP20P06YLG-E1-AYTR-ND
Price: 9.9015 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NP20P06YLG-E1-AY
Numer produktu DigiKey	559-NP20P06YLG-E1-AYTR-ND - Taśma i szpula (TR) 559-NP20P06YLG-E1-AYCT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	NP20P06YLG-E1-AY
Opis	MOSFET P-CH 60V 20A 8HSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 20A (Tc) 1W (Ta), 57W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSON (5x5,4)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Renesas Electronics Corporation
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	47mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2407 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HSON (5x5,4)
Obudowa / skrzynia	8-PowerLDFN
Bazowy numer produktu	NP20P06