NP160N04TDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

NP160N04TDG-E1-AY jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 3 331

Cena jednostkowa : 13,03000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NP160N04TDG-E1-AY
Numer produktu DigiKey	NP160N04TDG-E1-AY-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	NP160N04TDG-E1-AY
Opis	MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 160A (Ta) 1,8W (Ta), 220W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NP160N04TDG-E1-AY Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Renesas Electronics Corporation	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 270 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR)	Vgs (maks.) ±20V
Status części Nieaktualne	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 15750 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 1,8W (Ta), 220W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 160A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2mOhm przy 80A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (1)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
IPB020N04NGATMA1	Infineon Technologies	3 331	IPB020N04NGATMA1CT-ND	13,03000 zł	Similar

Przestarzałe

Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.

NP160N04TDG-E1-AY