IPB020N04NGATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB020N04NGATMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 727

Cena jednostkowa : 12,60000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPB020N04NGATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB020N04NGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB020N04NGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB020N04NGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 140A (Tc) 167W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB020N04NGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 95µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 120 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9700 pF @ 20 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 167W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 140A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu IPB020
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2mOhm przy 100A, 10V