Name: NP15P06SLG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP15P06SLG-E1-AYTR-ND
Price: 10.0245 PLN
Availability: InStock

Kanał P 60 V 15A (Ta) 1,2W (Ta), 30W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (MP-3ZK)

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NP15P06SLG-E1-AY
Numer produktu DigiKey	559-NP15P06SLG-E1-AYTR-ND - Taśma i szpula (TR) 559-NP15P06SLG-E1-AYCT-ND - Taśma cięta (CT) 559-NP15P06SLG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Renesas Electronics Corporation
Numer produktu producenta	NP15P06SLG-E1-AY
Opis	MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 15A (Ta) 1,2W (Ta), 30W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (MP-3ZK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NP15P06SLG-E1-AY Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 23 nC @ 10 V
Prod. Renesas Electronics Corporation	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1100 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,2W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252 (MP-3ZK)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 70mOhm przy 7,5A, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA	Bazowy numer produktu NP15P06