Name: PJQ4443P-AU_R2_000A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ4443P-AU_R2_000A1TR-ND
Price: 6.1254 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PJQ4443P-AU_R2_000A1
Numer produktu DigiKey	3757-PJQ4443P-AU_R2_000A1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 3757-PJQ4443P-AU_R2_000A1CT-ND - Taśma cięta (CT) 3757-PJQ4443P-AU_R2_000A1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Panjit International Inc.
Numer produktu producenta	PJQ4443P-AU_R2_000A1
Opis	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Standardowy czas realizacji przez producenta	36 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 8,8A (Ta), 46A (Tc) 2,1W (Ta), 59,5W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Panjit International Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,8A (Ta), 46A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2767 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 59,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	DFN3333-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	PJQ4443