Name: PJQ4443P_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ4443P_R2_00001TR-ND
Price: 4.8093 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PJQ4443P_R2_00001
Numer produktu DigiKey	3757-PJQ4443P_R2_00001TR-ND - Taśma i szpula (TR) 3757-PJQ4443P_R2_00001CT-ND - Taśma cięta (CT) 3757-PJQ4443P_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Panjit International Inc.
Numer produktu producenta	PJQ4443P_R2_00001
Opis	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 8,8A (Ta), 46A (Tc) 2,1W (Ta), 59,5W (Tc) Montaż powierzchniowy DFN3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Panjit International Inc.	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 23 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2767 pF @ 25 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 2,1W (Ta), 59,5W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8,8A (Ta), 46A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia DFN3333-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12mOhm przy 10A, 10V	Bazowy numer produktu PJQ4443