Name: RFD16N06LESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD16N06LESM9ATR-ND
Price: 11.7096 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RFD16N06LESM9A
Numer produktu DigiKey	RFD16N06LESM9ATR-ND - Taśma i szpula (TR) RFD16N06LESM9ACT-ND - Taśma cięta (CT) RFD16N06LESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	RFD16N06LESM9A
Opis	MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 16A (Tc) 90W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	16A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	47mOhm przy 16A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1350 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	90W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	RFD16N06