Name: NVTFS6H860NTAG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVTFS6H860NTAGTR-ND
Price: 4.7232 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVTFS6H860NTAG
Numer produktu DigiKey	488-NVTFS6H860NTAGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVTFS6H860NTAGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVTFS6H860NTAGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVTFS6H860NTAG
Opis	MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	36 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 8A (Ta), 30A (Tc) 3,1W (Ta), 46W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-WDFN (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.7 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 510 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,1W (Ta), 46W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A (Ta), 30A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-WDFN (3,3x3,3)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 21.1mOhm przy 5A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 30µA	Bazowy numer produktu NVTFS6