Name: NVMFD6H852NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND
Price: 8.2164 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMFD6H852NLT1G
Numer produktu DigiKey	NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVMFD6H852NLT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVMFD6H852NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFD6H852NLT1G
Opis	MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Standardowy czas realizacji przez producenta	31 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 80V 7A (Ta), 25A (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFN (5x6) podwójna flaga (SO8FL-podwójny)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10nC przy 10V
Producent onsemi	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 521pF przy 40V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 7A (Ta), 25A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 25,5mOhm przy 10A, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-DFN (5x6) podwójna flaga (SO8FL-podwójny)
Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 26µA	Bazowy numer produktu NVMFD6