Name: NVJD4158CT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVJD4158CT1GTR-ND
Price: 2.4723 PLN
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

NVJD4158CT1G
cms-digikey-product-number	488-NVJD4158CT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVJD4158CT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVJD4158CT1GDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	NVJD4158CT1G
cms-description	MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
cms-standard-lead-time	30 tygodnie
cms-customer-reference
cms-detailed-description	MOSFET - układy 30V 250mA (Ta), 880mA (Ta) 270mW (Ta) Montaż powierzchniowy SC-88/SC70-6/SOT-363
Arkusz danych	Arkusz danych

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	250mA (Ta), 880mA (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5Ohm przy 10mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1,5nC przy 5V, 3,5nC przy 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	20pF przy 5V
Moc - maks.	270mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Obudowa dostawcy urządzenia	SC-88/SC70-6/SOT-363

cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

W magazynie: 2 165

cms-incoming-leadtime-link

cms-quantity

cms-all-prices-in-currency

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)