Name: NVD5C688NLT4G
Brand: onsemi
SKU: NVD5C688NLT4GOSTR-ND
Price: 10.3074 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVD5C688NLT4G
Numer produktu DigiKey	NVD5C688NLT4GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVD5C688NLT4GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVD5C688NLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVD5C688NLT4G
Opis	MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 17A (Tc) 18W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVD5C688NLT4G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	17A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	27,4mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	18W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 155°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D-PAK
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	NVD5C688