Name: NVB150N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NVB150N65S3FOSTR-ND
Price: 24.6861 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVB150N65S3F
Numer produktu DigiKey	NVB150N65S3FOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVB150N65S3FOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVB150N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVB150N65S3F
Opis	MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 24A (Tc) 192W Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 43 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (maks.) ±30V
Seria SuperFET® III, FRFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1999 pF @ 400 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 192W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 24A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 150mOhm przy 12A, 10V	Bazowy numer produktu NVB150
Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 540µA