Name: BVSS123LT1G
Brand: onsemi
SKU: BVSS123LT1GOSTR-ND
Price: 1.9434 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BVSS123LT1G
Numer produktu DigiKey	BVSS123LT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) BVSS123LT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) BVSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	BVSS123LT1G
Opis	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	46 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BVSS123LT1G Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs (maks.) ±20V
Prod. onsemi	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 20 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 225mW (Ta)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 170mA (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3 (TO-236)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6Ohm przy 100mA, 10V	Bazowy numer produktu BVSS123
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,8V przy 1mA