NTMFSCH1D4N08XTWG onsemi | Półprzewodniki dyskretne

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFSCH1D4N08XTWG
Numer produktu DigiKey	488-NTMFSCH1D4N08XTWGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMFSCH1D4N08XTWGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMFSCH1D4N08XTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFSCH1D4N08XTWG
Opis	MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 263A (Tc) 208W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	DUAL COOL®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	263A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,4mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,6V przy 348µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6303 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	208W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	NTMFSCH