Name: NTTFS008P03P8Z
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS008P03P8ZTR-ND
Price: 11.3037 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTTFS008P03P8Z
Numer produktu DigiKey	488-NTTFS008P03P8ZTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTTFS008P03P8ZCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTTFS008P03P8ZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTTFS008P03P8Z
Opis	MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2,36W (Ta), 50W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-PQFN (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22A (Ta), 96A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,8mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	134 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5600 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,36W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-PQFN (3,3x3,3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerWDFN
Bazowy numer produktu	NTTFS008