Name: NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTMT045N065SC1TR-ND
Price: 56.4078 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMT045N065SC1
Numer produktu DigiKey	5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMT045N065SC1
Opis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-TDFN (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	55A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	50mOhm przy 25A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	105 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1870 pF @ 325 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	187W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	4-TDFN (8x8)
Obudowa / skrzynia	4-PowerTSFN
Bazowy numer produktu	NTMT045