Name: NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTMT045N065SC1TR-ND
Price: 59.2245 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMT045N065SC1
Numer produktu DigiKey	5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMT045N065SC1
Opis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-TDFN (8x8)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,3V przy 8mA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 105 nC @ 18 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +22V, -8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1870 pF @ 325 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 187W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 55A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 4-TDFN (8x8)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Obudowa / skrzynia 4-PowerTSFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 50mOhm przy 25A, 18V	Bazowy numer produktu NTMT045