Kanał N 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-TDFN (8x8)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMT045N065SC1

Numer produktu DigiKey
5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Taśma cięta (CT)
5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
NTMT045N065SC1
Opis
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Standardowy czas realizacji przez producenta
17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-TDFN (8x8)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
55A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
50mOhm przy 25A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,3V przy 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
105 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1870 pF @ 325 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
187W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
4-TDFN (8x8)
Obudowa / skrzynia
4-PowerTSFN
Bazowy numer produktu
NTMT045
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 6 564
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
144,75000 zł44,75 zł
1031,20000 zł312,00 zł
10027,02550 zł2 702,55 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3 00022,07973 zł66 239,19 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:44,75000 zł
Cena jednostkowa z VAT:55,04250 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
10 Pozycje
TW031V65C,LQ

TW031V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

136,25000 zł
SCTL35N65G2V

SCTL35N65G2V

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

STMicroelectronics

57,21000 zł
SCTL90N65G2V

SCTL90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

104,14000 zł
FL06100G

FL06100G

SICFET N-CH 650V 22A PDFN8x8

fastSiC

29,18000 zł
TW054V65C,LQ

TW054V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.054 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

97,96000 zł
IMTA65R033M2HXTMA1

IMTA65R033M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

36,36000 zł
FF06100G

FF06100G

SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8

fastSiC

29,18000 zł
NTMT064N65S3H

NTMT064N65S3H

MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN

onsemi

32,64000 zł
NTBL023N065M3S

NTBL023N065M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

onsemi

56,43000 zł
IPL60R060CFD7AUMA1

IPL60R060CFD7AUMA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

26,61000 zł