Name: NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBL023N065M3S-ND
Price: 69.7779 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTBL023N065M3S
Numer produktu DigiKey	488-NTBL023N065M3S-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTBL023N065M3S
Opis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 77A (Tc) 312W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HPSOF
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 10mA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 69 nC @ 18 V
Opakowanie Zbiorcze	Vgs (maks.) +22V, -8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1950 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 312W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 77A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-HPSOF
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 18V	Obudowa / skrzynia 8-PowerSFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 32,6mOhm przy 20A, 18V