Name: NTMFS6H801NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H801NLT1GTR-ND
Price: 13.9113 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFS6H801NLT1G
Numer produktu DigiKey	488-NTMFS6H801NLT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMFS6H801NLT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMFS6H801NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFS6H801NLT1G
Opis	MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 24A (Ta), 160A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	24A (Ta), 160A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,7mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	90 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5126 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN, 5 przewodów
Bazowy numer produktu	NTMFS6