Name: NTMFS6H818NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H818NLT1GTR-ND
Price: 12.2754 PLN
Availability: InStock

NTMFS6H818NLT1G nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Rohm Semiconductor

W magazynie: 2 504

Cena jednostkowa : 13,93000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFS6H818NLT1G
Numer produktu DigiKey	488-NTMFS6H818NLT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMFS6H818NLT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMFS6H818NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFS6H818NLT1G
Opis	MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	43 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 3,8W (Ta), 140W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 190µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 64 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3844 pF @ 40 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3,8W (Ta), 140W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 22A (Ta), 135A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN, 5 przewodów
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,2mOhm przy 20A, 10V	Bazowy numer produktu NTMFS6