Name: NTMFS6H800NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND
Price: 18.327 PLN
Availability: OutOfStock

NTMFS6H800NLT1G nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 21,90000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFS6H800NLT1G
Numer produktu DigiKey	488-NTMFS6H800NLT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMFS6H800NLT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMFS6H800NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFS6H800NLT1G
Opis	MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 3.9W (Ta), 214W (Tc) Montaż powierzchniowy 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTMFS6H800NLT1G Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 330µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 112 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6900 pF @ 40 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Ta), 224A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN, 5 przewodów
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,9mOhm przy 50A, 10V	Bazowy numer produktu NTMFS6