
NTMD6P02R2G | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | NTMD6P02R2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMD6P02R2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMD6P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | NTMD6P02R2G |
Opis | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 11 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 4,8A 750mW Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | NTMD6P02R2G Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały P (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 4,8A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 33mOhm przy 6,2A, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 35nC przy 4,5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1700pF przy 16V | |
Moc - maks. | 750mW | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,12000 zł | 7,12 zł |
| 10 | 4,53000 zł | 45,30 zł |
| 100 | 3,04480 zł | 304,48 zł |
| 500 | 2,40758 zł | 1 203,79 zł |
| 1 000 | 2,20262 zł | 2 202,62 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,85122 zł | 4 628,05 zł |
| 5 000 | 1,72315 zł | 8 615,75 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,12000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,75760 zł |

