Name: NTMD6N02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD6N02R2GOSTR-ND
Price: 5.7195 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMD6N02R2G
Numer produktu DigiKey	NTMD6N02R2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMD6N02R2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMD6N02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMD6N02R2G
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 3,92A 730mW Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTMD6N02R2G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,92A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	35mOhm przy 6A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1100pF przy 16V
Moc - maks.	730mW
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	NTMD6