
NTMD6N02R2G | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | NTMD6N02R2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMD6N02R2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMD6N02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | NTMD6N02R2G |
Opis | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 13 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 3,92A 730mW Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | NTMD6N02R2G Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 1,2V przy 250µA |
Producent onsemi | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20nC przy 4,5V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1100pF przy 16V |
Status części Aktywny | Moc - maks. 730mW |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego | Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V | Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3,92A | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35mOhm przy 6A, 4,5V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,88000 zł | 4,88 zł |
| 10 | 3,07000 zł | 30,70 zł |
| 100 | 2,02590 zł | 202,59 zł |
| 500 | 1,57736 zł | 788,68 zł |
| 1 000 | 1,43284 zł | 1 432,84 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,19291 zł | 2 982,27 zł |
| 5 000 | 1,10253 zł | 5 512,65 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,88000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,00240 zł |

