Name: NTMD4N03R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD4N03R2GOSTR-ND
Price: 5.5227 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMD4N03R2G
Numer produktu DigiKey	NTMD4N03R2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMD4N03R2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMD4N03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMD4N03R2G
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 4A 2W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTMD4N03R2G Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Producent onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 400pF przy 20V
Status części Aktywny	Moc - maks. 2W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4A	Bazowy numer produktu NTMD4
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 60mOhm przy 4A, 10V