
NTMD4N03R2G | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | NTMD4N03R2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMD4N03R2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMD4N03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | NTMD4N03R2G |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 4A 2W Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | NTMD4N03R2G Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 4A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 60mOhm przy 4A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 16nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 400pF przy 20V | |
Moc - maks. | 2W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,28000 zł | 4,28 zł |
| 10 | 2,68600 zł | 26,86 zł |
| 100 | 1,76600 zł | 176,60 zł |
| 500 | 1,37008 zł | 685,04 zł |
| 1 000 | 1,24257 zł | 1 242,57 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,10447 zł | 2 761,18 zł |
| 5 000 | 1,01911 zł | 5 095,55 zł |
| 7 500 | 0,97562 zł | 7 317,15 zł |
| 12 500 | 0,92676 zł | 11 584,50 zł |
| 17 500 | 0,91500 zł | 16 012,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,28000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,26440 zł |

