Name: NTHD4102PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD4102PT1GOSTR-ND
Price: 7.38 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTHD4102PT1G
Numer produktu DigiKey	NTHD4102PT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTHD4102PT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTHD4102PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTHD4102PT1G
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 2,9A 1,1W Montaż powierzchniowy ChipFET™
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTHD4102PT1G Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Producent onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8,6nC przy 4,5V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 750pF przy 16V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,1W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały P (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SMD, odprowadzenia płaskie
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia ChipFET™
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 2,9A	Bazowy numer produktu NTHD4102
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 80mOhm przy 2,9A, 4,5V