
NTHD4102PT1G | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | NTHD4102PT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTHD4102PT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTHD4102PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | NTHD4102PT1G |
Opis | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 17 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 2,9A 1,1W Montaż powierzchniowy ChipFET™ |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | NTHD4102PT1G Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały P (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 2,9A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 80mOhm przy 2,9A, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 8,6nC przy 4,5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 750pF przy 16V | |
Moc - maks. | 1,1W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SMD, odprowadzenia płaskie | |
Obudowa dostawcy urządzenia | ChipFET™ | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,57000 zł | 5,57 zł |
| 10 | 3,52100 zł | 35,21 zł |
| 100 | 2,34860 zł | 234,86 zł |
| 500 | 1,84470 zł | 922,35 zł |
| 1 000 | 1,68256 zł | 1 682,56 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,47665 zł | 4 429,95 zł |
| 6 000 | 1,37302 zł | 8 238,12 zł |
| 9 000 | 1,32945 zł | 11 965,05 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,57000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,85110 zł |











