Name: NTGD4167CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGD4167CT1GOSTR-ND
Price: 4.3173 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTGD4167CT1G
Numer produktu DigiKey	NTGD4167CT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTGD4167CT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTGD4167CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTGD4167CT1G
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 2,6A, 1,9A 900mW Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTGD4167CT1G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,6A, 1,9A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 2,6A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	5,5nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	295pF przy 15V
Moc - maks.	900mW
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP
Bazowy numer produktu	NTGD4167