Name: NTD250N65S3H
Brand: onsemi
SKU: 488-NTD250N65S3HTR-ND
Price: 17.1954 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTD250N65S3H
Numer produktu DigiKey	488-NTD250N65S3HTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTD250N65S3HCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTD250N65S3HDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTD250N65S3H
Opis	POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 13A (Tc) 106W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (DPak)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTD250N65S3H Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	SuperFET® III
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	13A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	250mOhm przy 6,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1,1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1261 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	106W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252 (DPak)
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63