Name: NTBG015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG015N065SC1TR-ND
Price: 126.7269 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTBG015N065SC1
Numer produktu DigiKey	5556-NTBG015N065SC1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 5556-NTBG015N065SC1CT-ND - Taśma cięta (CT) 5556-NTBG015N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTBG015N065SC1
Opis	SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 145A (Tc) 500W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	145A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18mOhm przy 75A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 25mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	283 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4689 pF @ 325 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	500W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	NTBG015