Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
MMSF3P02HDR2G jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
MMSF3P02HDR2G | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | MMSF3P02HDR2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) |
Producent | |
Numer produktu producenta | MMSF3P02HDR2G |
Opis | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 20 V 5,6A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | MMSF3P02HDR2G Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 75mOhm przy 3A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 46 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1400 pF @ 16 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2,5W (Ta) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Polska