FW297-TL-2W onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FW297-TL-2W jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie

Vishay Siliconix

W magazynie: 234

Cena jednostkowa : 6,55000 zł

MFR Recommended

Rohm Semiconductor

W magazynie: 10 014

Cena jednostkowa : 8,49000 zł

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,39436 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FW297-TL-2W
Numer produktu DigiKey	FW297-TL-2WOSTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FW297-TL-2W
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 4,5A 1,8W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FW297-TL-2W Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego, sterowanie 4V
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,5A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	58mOhm przy 4,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	750pF przy 20V
Moc - maks.	1,8W
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	FW297