Name: FQD8P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TMTR-ND
Price: 5.6949 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQD8P10TM
Numer produktu DigiKey	FQD8P10TMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQD8P10TMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQD8P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQD8P10TM
Opis	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 6,6A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15 nC @ 10 V
Seria QFET®	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 470 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 44W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,6A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu FQD8P10
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 530mOhm przy 3,3A, 10V