Name: FQD2N60CTM
Brand: onsemi
SKU: FQD2N60CTMTR-ND
Price: 6.1869 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQD2N60CTM
Numer produktu DigiKey	FQD2N60CTMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQD2N60CTMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQD2N60CTMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQD2N60CTM
Opis	MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 1,9A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 10 V
Seria QFET®	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 235 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 44W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 1,9A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu FQD2N60
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,7Ohm przy 950mA, 10V