Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
FQD2N60CTM-WS jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
Odpowiednik parametryczny
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
FQD2N60CTM-WS | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | FQD2N60CTM-WSTR-ND - Taśma i szpula (TR) |
Producent | |
Numer produktu producenta | FQD2N60CTM-WS |
Opis | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 1,9A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | FQD2N60CTM-WS Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 600 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 4,7Ohm przy 950mA, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 235 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 2,5W (Ta), 44W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-252AA | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Polska