Name: FQD19N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD19N10LTMTR-ND
Price: 7.503 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQD19N10LTM
Numer produktu DigiKey	FQD19N10LTMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQD19N10LTMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQD19N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQD19N10LTM
Opis	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 15,6A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 18 nC @ 5 V
Seria QFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 870 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 155°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15,6A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V, 10V	Bazowy numer produktu FQD19N10
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 100mOhm przy 7,8A, 10V