FQD17N08LTM jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

FDC3512
onsemi
W magazynie: 31 511
Cena jednostkowa : 5,42000 zł
Arkusz danych

Similar

IRLR3410TRPBF
Infineon Technologies
W magazynie: 7 170
Cena jednostkowa : 5,35000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 80 V 12,9A (Tc) 2,5W (Ta), 40W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 80 V 12,9A (Tc) 2,5W (Ta), 40W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
TO-252-3

FQD17N08LTM

Numer produktu DigiKey
FQD17N08LTMTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
onsemi
Numer produktu producenta
FQD17N08LTM
Opis
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 80 V 12,9A (Tc) 2,5W (Ta), 40W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
onsemi
Seria
QFET®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12,9A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
100mOhm przy 6,45A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
520 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,5W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
D-PAK
Obudowa / skrzynia
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu
FQD17N08
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.