Name: FQD13N06LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD13N06LTMTR-ND
Price: 5.3013 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQD13N06LTM
Numer produktu DigiKey	FQD13N06LTMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQD13N06LTMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQD13N06LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQD13N06LTM
Opis	MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 11A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FQD13N06LTM Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 6.4 nC @ 5 V
Seria QFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 350 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 155°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 11A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V, 10V	Bazowy numer produktu FQD13N06
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 115mOhm przy 5,5A, 10V