Name: FQB34P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB34P10TMTR-ND
Price: 18.5484 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQB34P10TM
Numer produktu DigiKey	FQB34P10TMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQB34P10TMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQB34P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQB34P10TM
Opis	MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 33,5A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FQB34P10TM Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 110 nC @ 10 V
Seria QFET®	Vgs (maks.) ±25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2910 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,75W (Ta), 155W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 33,5A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu FQB34P10
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 60mOhm przy 16,75A, 10V