Name: FQB34P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB34P10TMTR-ND
Price: 17.6505 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQB34P10TM
Numer produktu DigiKey	FQB34P10TMTR-ND - Taśma i szpula (TR) FQB34P10TMCT-ND - Taśma cięta (CT) FQB34P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQB34P10TM
Opis	MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 33,5A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FQB34P10TM Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	QFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	33,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	60mOhm przy 16,75A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2910 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263 (D2PAK)
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	FQB34P10