FGA20N120FTDTU onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FGA20N120FTDTU jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 25

Cena jednostkowa : 34,19000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 60

Cena jednostkowa : 43,41000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 180

Cena jednostkowa : 63,08000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FGA20N120FTDTU
Numer produktu DigiKey	FGA20N120FTDTUFS-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FGA20N120FTDTU
Opis	IGBT TRENCH FS 1200V 40A TO-3P
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT Ogranicznik pola wykopu 1200 V 40 A 298 W Otwór przelotowy TO-3P
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FGA20N120FTDTU Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT pojedyncze
Producent	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ IGBT	Ogranicznik pola wykopu
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	1200 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	40 A
Prąd - impulsowy kolektora (Icm)	60 A
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2V przy 15V, 20A
Moc - maks.	298 W
Energia przełączania	-
Typ wejścia	Standard
Ładunek bramki	137 nC
Td (wł./wył.) przy 25°C	-
Warunki probiercze	-
Czas regeneracji wstecznej (trr)	447 ns
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-3P-3, SC-65-3
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-3P
Bazowy numer produktu	FGA20N120