Name: GT40QR21(STA1,E,D
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT40QR21(STA1ED-ND
Price: 23.862 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT40QR21(STA1,E,D
Numer produktu DigiKey	264-GT40QR21(STA1ED-ND
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	GT40QR21(STA1,E,D
Opis	IGBT 1200V 40A TO-3P
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT 1200 V 40 A 230 W Otwór przelotowy TO-3P(N)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT pojedyncze
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ IGBT	-
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	1200 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	40 A
Prąd - impulsowy kolektora (Icm)	80 A
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2,7V przy 15V, 40A
Moc - maks.	230 W
Energia przełączania	-, 290µJ (wył.)
Typ wejścia	Standard
Td (wł./wył.) przy 25°C	-
Warunki probiercze	280V, 40A, 10Ohm, 20V
Czas regeneracji wstecznej (trr)	600 ns
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-3P-3, SC-65-3
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-3P(N)
Bazowy numer produktu	GT40QR21

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 25

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	19,40000 zł	19,40 zł
25	11,22440 zł	280,61 zł
100	9,27000 zł	927,00 zł
500	7,70584 zł	3 852,92 zł
1 000	7,55333 zł	7 553,33 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.