FDZ197PZ onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDZ197PZ jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,40948 zł

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

W magazynie: 902

Cena jednostkowa : 3,81000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDZ197PZ
Numer produktu DigiKey	FDZ197PZTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDZ197PZ
Opis	MOSFET P-CH 20V 3.8A 6WLCSP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 3,8A (Ta) 1,9W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-WLCSP (1x1,5)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	64mOhm przy 2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1570 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,9W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-WLCSP (1x1,5)
Obudowa / skrzynia	6-UFBGA, WLCSP
Bazowy numer produktu	FDZ19