FDZ193P onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FDZ193P jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,40948 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDZ193P
Numer produktu DigiKey	FDZ193PTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDZ193P
Opis	MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 3A (Ta) 1,9W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-WLCSP (1x1,5)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,7V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 1A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	660 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,9W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-WLCSP (1x1,5)
Obudowa / skrzynia	6-UFBGA, WLCSP
Bazowy numer produktu	FDZ19