Name: FDT86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86102LZFSTR-ND
Price: 6.8019 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDT86102LZ
Numer produktu DigiKey	FDT86102LZFSTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDT86102LZFSCT-ND - Taśma cięta (CT) FDT86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDT86102LZ
Opis	MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 6,6A (Ta) 2,2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223-4
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 25 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1490 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,2W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-223-4
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,6A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-261-4, TO-261AA
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu FDT86102
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 28mOhm przy 6,6A, 10V