Name: FDT1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDT1600N10ALZTR-ND
Price: 5.2644 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDT1600N10ALZ
Numer produktu DigiKey	FDT1600N10ALZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDT1600N10ALZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDT1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDT1600N10ALZ
Opis	MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 5,6A (Tc) 10,42W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-223-4
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	160mOhm przy 2,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,8V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	3.77 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	225 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	10,42W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-223-4
Obudowa / skrzynia	TO-261-4, TO-261AA
Bazowy numer produktu	FDT1600