Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
FDS6930B jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
Similar
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
FDS6930B | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | FDS6930BTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDS6930BCT-ND - Taśma cięta (CT) FDS6930BDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | FDS6930B |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 5,5A 900mW Montaż powierzchniowy 8-SOIC |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | onsemi | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nieaktualne | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 5,5A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 38mOhm przy 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 3,8nC przy 5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 412pF przy 15V | |
Moc - maks. | 900mW | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm) | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-SOIC | |
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Polska