Name: FDS3890
Brand: onsemi
SKU: FDS3890TR-ND
Price: 11.5743 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDS3890
Numer produktu DigiKey	FDS3890TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDS3890CT-ND - Taśma cięta (CT) FDS3890DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDS3890
Opis	MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 80V 4,7A 900mW Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4,7A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	44mOhm przy 4,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1180pF przy 40V
Moc - maks.	900mW
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	FDS38